7月8日消息，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護(hù)器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運(yùn)用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)跑者。

新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設(shè)計(jì)帶來了若干挑戰(zhàn)。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著功耗的增加，散熱也成為一個(gè)不容忽視的問題。

Nexperia作為分立器件生產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，憑借數(shù)十年經(jīng)驗(yàn)的沉淀，設(shè)計(jì)出這一超小尺寸的創(chuàng)新型MOSFET系列，成功地克服了這兩個(gè)問題。超薄型DFN0603封裝，尺寸僅為0.63 x 0.33 x 0.25 mm，比第二小封裝(DFN0604)的MOSFET使用的空間少13%。令人驚嘆的是，這種尺寸上的縮小毫不影響器件性能，事實(shí)上，這些MOSFET的RDS(on)減少了74%，這有助于提高效率，從而使可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)更大的功率密度。

該新系列小型MOSFET包括：

PMX100UN 20 V，N溝道Trench MOSFET

PMX100UNE 20 V，N溝道Trench MOSFET，帶2kV ESD保護(hù)(HBM)

PMX300UNE 30 V，N溝道Trench MOSFET

PMX400UP 20 V，P溝道Trench MOSFET

據(jù)悉Nexperia計(jì)劃于2022年下半年為該系列再增加兩款MOSFET。

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