根據(jù)外媒TechPowerup的消息，SK海力士公司宣布已開發(fā)出1Ynm 8GB DDR4 DRAM。與上一代1Xnm DRAM相比，該產(chǎn)品的效率提高了20%，功耗降低了15%以上。它還支持高達3,200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，這是DDR4接口中最快的數(shù)據(jù)處理速度。該公司采用“4相時鐘”方案，使時鐘信號加倍，以提高數(shù)據(jù)傳輸速度和穩(wěn)定性。

SK海力士還推出了自己的Sense Amp 控制技術(shù)，以減少功耗和數(shù)據(jù)錯誤。SK海力士改進了晶體管結(jié)構(gòu)，降低了數(shù)據(jù)錯誤的可能性。該公司還降低了芯片的功耗，以防止不必要的損耗。

“這款1Ynm 8GB DDR4 DRAM為我們的客戶提供了最佳的性能和密度，”DRAM營銷主管Sean Kim說。“SK海力士計劃從明年第一季度開始出貨，積極響應(yīng)市場需求，”他補充說。

SK海力士計劃將1Ynm技術(shù)流程擴展到服務(wù)器和PC領(lǐng)域，后來擴展到其他各種應(yīng)用，如移動設(shè)備。

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