3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設(shè)計研發(fā)的首款車規(guī)級 IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項參數(shù)均達(dá)到設(shè)計要求。
該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術(shù)，通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時實現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。
晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/4。公司將圍繞動力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求，不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品。
IGBT 是現(xiàn)代電力電子中的主導(dǎo)型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)里的 CPU。近期，也有行業(yè)開發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創(chuàng)新應(yīng)用場景會更加豐富。
晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計 + 模塊制造 + 車規(guī)認(rèn)證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。
IT之家注：
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor，GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET 驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
IGBT 是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS 不間斷電源等設(shè)備上。
IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當(dāng)前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。
