5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對針對英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。

海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。

英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺上的兼容性;海力士 1bnm 是其中第一個針對下一代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺和英特爾數(shù)據(jù)中心認(rèn)證內(nèi)存程序的一代產(chǎn)品。

‎與此同時，海力士還表示，應(yīng)用于下一代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺的1anm DDR5(其中第一個兼容性測試已經(jīng)完成)也正在進(jìn)行中。

IT之家附海力士發(fā)展與 DDR5 產(chǎn)品的歷史：

2020 年 10 月推出 DDR5

2021 年 12 月首批 24 Gb DDR5 樣品出貨

2023 年 1 月獲得 1anm DDR5 的英特爾服務(wù)器驗(yàn)證

2023 年 4 月向英特爾提供服務(wù)器 1bnm DDR5 樣品

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