5 月 28 日消息，在“碳達峰”“碳中和”背景下，太陽能、風能、熱能、生物能等可再生能源的規(guī)?；瘧贸蔀槭澜缒茉窗l(fā)展的必然趨勢。在眾多發(fā)電技術中，太陽能光伏發(fā)電是綠色環(huán)保概念中的重要發(fā)電方式之一，而光伏逆變器是太陽能光伏發(fā)電的核心設備, 光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。

公開資料顯示，光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。而在逆變電路中，都需使用 IGBT 等具有開關特性的半導體功率器件，控制各個功率器件輪流導通和關斷，再經由變壓器藕合升壓或降壓，最終實現(xiàn)直流轉交流的轉換。因此，IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為光伏逆變器的核心元器件，在光伏等領域的應用極為廣泛。

比亞迪半導體成功開發(fā)出 T 型拓撲結構 BG80T12G10S5 模塊和 I 型拓撲結構模塊 BG150I07N10H5 模塊。

該兩款 IGBT 模塊采用光伏逆變市場的典型應用拓撲，模塊結構緊湊、性能高效，適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業(yè)同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。

針對不同的應用領域，IGBT 也展現(xiàn)出不同的技術特點。光伏 IGBT 對于可靠性的要求非常高，新能源發(fā)電輸出的電能需要通過光伏逆變器將整流后的直流電逆變?yōu)榉想娋W(wǎng)要求的交流電后輸入電網(wǎng)，這種線路需要將 IGBT 模塊性能用到極致，所以對 IGBT 芯片也提出了更高的可靠性要求。

比亞迪半導體 T 型拓撲結構 BG80T12G10S5 模塊和 I 型拓撲結構模塊 BG150I07N10H5，主要有以下特性：

結構緊湊，封裝體積小

采用 DBC 工藝

采用比亞迪半導體 IGBT5.0 技術的低損耗 IGBT

低寄生電感設計

耐沖擊能力

Pin 針工藝

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